Другие журналы

электронный журнал

МОЛОДЕЖНЫЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ВЕСТНИК

Издатель ФГБОУ ВПО "МГТУ им. Н.Э. Баумана". Эл No. ФС77-51038. ISSN 2307-0609

Моделирование токопереноса в AlGaAs гетероструктурах методом матриц переноса и методом конечных разностей

Молодежный научно-технический вестник # 11, ноябрь 2016
УДК: 517.958:537.812
Файл статьи: Куимов Е.В.pdf (216.79Кб)
автор: Куимов Е. В.

[1].        Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. Комбинированная модель резонансно-туннельного диода // Физика и техника полупроводников. Минск, 2007. № 11. Т. 41. С. 1395–1400.

[2].        Москалюк В.А., Тимофеев В.И., Федяй А.В. Сверхбыстродействующие приборы электроники / под общ. ред. В.А. Москалюка. Киев: НТУУ «КПИ», 2012. 479 с.

[3].        Sun J.P.  Modeling of semiconductor quantum devices and its application. Ann Arbor, Univ. of Michigan, 1993. 257 p.

[4].        Ковеня В.М., Чирков Д.В. Методы конечных разностей и конечных объемов для решения задач математической физики / под общ. ред. В.М. Ковеня. Новосибирск: НГУ, 2013. 86 с.

[5].        Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Коломейцева Н.В. Комбинированная двухзонная модель резонансно-туннельного диода // Физика и техника полупроводников. Минск, 2005. № 9. Т. 39. С. 1138–1145.

Поделиться:
 
ПОИСК
 
elibrary crossref neicon rusycon
 
ЮБИЛЕИ
ФОТОРЕПОРТАЖИ
 
СОБЫТИЯ
 
НОВОСТНАЯ ЛЕНТА



Авторы
Пресс-релизы
Библиотека
Конференции
Выставки
О проекте
Rambler's Top100
Телефон: +7 (499) 263-61-98
  RSS
© 2003-2017 «Молодежный научно-технический вестник» Тел.: +7 (499) 263-61-98