Другие журналы

электронный журнал

МОЛОДЕЖНЫЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ВЕСТНИК

Издатель ФГБОУ ВПО "МГТУ им. Н.Э. Баумана". Эл No. ФС77-51038. ISSN 2307-0609

Публикации с ключевым словом - AuGeNi омические контакты

Найдено: 2
Исследование термической деградации AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных диодов на базе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур
# 09, сентябрь 2012
DOI: 10.7463/0912.0453636
Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А., Назаров В. В.
Проведено исследование термической деградации AuGeNi омических контактов РТД. Предложена аналитическая зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов РТД от времени и температуры (действительна при температурах ≤ 300 °C). Она может быть использована для прогнозирования надежности РТД и радиоэлектронных устройств на его основе в заданных условиях эксплуатации.
К вопросу о повышении надежности смесительных AlAs/GaAs резонансно-туннельных диодов конструкторско-технологическими методами
# 11, ноябрь 2013
DOI: 10.7463/1113.0637834
Макеев М. О., Иванов Ю. А., Мешков С. А., Шашурин В. Д.
Разработана методика исследования изменения вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов под действием деградационных процессов в его структуре. Исследование деградации структуры резонансно-туннельных диодов на основе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур проводилось при температуре 300 °C. Выявлено, что в данных условиях изменение вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов вызвано преимущественно деградацией омических контактов. Определена аналитическая зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных диодов от времени и температуры.
 
ПОИСК
 
elibrary crossref neicon rusycon
 
ЮБИЛЕИ
ФОТОРЕПОРТАЖИ
 
СОБЫТИЯ
 
НОВОСТНАЯ ЛЕНТА



Авторы
Пресс-релизы
Библиотека
Конференции
Выставки
О проекте
Rambler's Top100
Телефон: +7 (499) 263-61-98
  RSS
© 2003-2017 «Молодежный научно-технический вестник» Тел.: +7 (499) 263-61-98